MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor
  • MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared SensorMINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor

MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor

ໃນເວລາທີ່ສັນຍານອິນຟາເລດ pyroelectric ໄດ້ຮັບໂດຍ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor ເກີນຂອບເຂດຂອງຜົນກະທົບພາຍໃນ probe, ກຳ ມະຈອນທີ່ນັບໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນພາຍໃນ. ເມື່ອການກວດສອບໄດ້ຮັບສັນຍານດັ່ງກ່າວອີກຄັ້ງ, ມັນຈະຄິດວ່າມັນໄດ້ຮັບ ກຳ ມະຈອນຄັ້ງທີສອງແລ້ວ. ເມື່ອມັນໄດ້ຮັບ 2 ກຳ ມະຈອນພາຍໃນ 4 ວິນາທີ, ການວິເຄາະຈະສ້າງສັນຍານເຕືອນແລະເຂັມ REL ຈະມີລະດັບລະດັບສູງ.

ຕົວແບບ:PD-PIR-262LA-D

ສົ່ງສອບຖາມ

MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor


ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ
ວິທີການຜະລິດກະແສໄຟຟ້າ SMD ຂະ ໜາດ ນ້ອຍ
ການປະມວນຜົນສັນຍານດິຈິຕອນ
ເປີດໃຊ້ລະບຽບການໄຟຟ້າເພື່ອປະຫຍັດພະລັງງານ
ຕົວກອງທີ່ຕິດຕັ້ງ, ປ້ອງກັນການແຊກແຊງທີ່ເຂັ້ມແຂງ
ຄວາມອ່ອນໄຫວທີ່ສາມາດປັບໄດ້, ເວລາແລະການຄວບຄຸມແສງ
ແຮງດັນຕ່ ຳ, ການໃຊ້ພະລັງງານຈຸລະພາກ
ໃບສະ ໝັກ
ການຊອກຄົ້ນຫາການເຄື່ອນໄຫວຂອງອິນຟາເລດ
ອິນເຕີເນັດຂອງສິ່ງຕ່າງໆ
Wearables
ເຄື່ອງໃຊ້ໃນເຮືອນທີ່ສະຫຼາດ, ເຮືອນ
ໂຄມໄຟແສງສະຫວ່າງ
ຄວາມປອດໄພ, ຜະລິດຕະພັນຕ້ານການລັກລົດຍົນ
ລະບົບຕິດຕາມກວດກາເຄືອຂ່າຍ, ແລະອື່ນໆ


ຜະລິດຕະພັນແລະແຜນວາດຂະ ໜາດ ແຜ່ນທີ່ແນະ ນຳ ຂອງ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor


ຕົວກໍານົດການພື້ນຖານຂອງ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor
ສິ່ງໃດນອກ ເໜືອ ຈາກການໃຫ້ຄະແນນໃນຕາຕະລາງຕໍ່ໄປນີ້ອາດຈະສ້າງຄວາມເສຍຫາຍຖາວອນໃຫ້ກັບອຸປະກອນ. ການ ນຳ ໃຊ້ໄລຍະຍາວໃກ້ກັບມູນຄ່າທີ່ຖືກຈັດອັນດັບອາດຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມ ໜ້າ ເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ.

ພາລາມິເຕີ

ສັນຍາລັກ

Min

ສູງສຸດທີ່ເຄຍ

ໜ່ວຍ ງານ

ຫມາຍ​ເຫດ​

ແຮງດັນໄຟຟ້າ

VDD

2.2

3.7

V

 

ມຸມມອງ

 

X = 110 °

Y = 90 °

°

ມຸມມອງຂອງມຸມມອງແມ່ນ

ມູນຄ່າທິດສະດີ

ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ

-40

80

 

ກວດພົບຄື້ນຄວາມຍາວ

λ

5

14

. ມ



ແຜນວາດພາຍໃນຂອງ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor


ເງື່ອນໄຂການເຮັດວຽກ (T = 25 ° C, VDD = 3V, ເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້ເປັນຢ່າງອື່ນ)

ພາລາມິເຕີ

ສັນຍາລັກ

Min

ປະເພດ

ສູງສຸດທີ່ເຄຍ

ໜ່ວຍ ງານ

ຫມາຍ​ເຫດ​

Supply ແຮງດັນໄຟຟ້າ

VDD

2.2

3

3.7

V

 

ປະຈຸບັນເຮັດວຽກ

IDD

9

9.5

11

μເອ

 

ລະດັບຄວາມອ່ອນໄຫວ

VSENS

90

 

2000

μV

 

ຜົນໄດ້ຮັບ REL

ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດຕ່ ຳ

IOL

10

 

 

mA

VOL <1V

ຜົນຜະລິດກະແສໄຟຟ້າສູງ

IOH

 

 

-10

mA

VOH> (VDD-1V)

ເວລາລັອກຜົນຜະລິດໃນລະດັບຕໍ່າ REL

 

2

 

s

ປັບບໍ່ໄດ້

ເວລາລັອກຜົນຜະລິດລະດັບສູງ REL

2

 

3600

s

 

ໃສ່ SENS / ONTIME

ແຮງດັນໄຟຟ້າ input range

 

0

 

VDD / 2

V

The adjustment range is between 0V and VDD / 2

ປັດຈຸບັນການປ້ອນຂໍ້ມູນອະຄະຕິ

 

-1

 

1

μເອ

 

ເປີດໃຊ້ງານ OEN

ປ້ອນແຮງດັນຕ່ ຳ

VIL

ລະຫວ່າງ 0.8V-1.2V

ແມ່ນພື້ນທີ່ hysteresis

0.8

V

ແຮງດັນໄຟຟ້າ OEN ສູງເຖິງລະດັບໃກ້ຈະເຂົ້າສູ່ລະດັບຕໍ່າ

ປ້ອນແຮງດັນໄຟຟ້າສູງ

VIH

1.2

 

 

V

ແຮງດັນໄຟຟ້າ OEN ຕ່ ຳ ເຖິງລະດັບຄວາມໄວສູງ

ກະລຸນາໃສ່ກະແສ

II

-1

 

1

μເອ

Vss<VIN<VDD

Oscillators ແລະການກັ່ນຕອງ

 

 

 

 

 

 

ຄວາມຖີ່ຂອງການກັ່ນຕອງຜ່ານຂັ້ນຕ່ ຳ

 

 

 

7

Hz

 

ຄວາມຖີ່ຂອງການຕັດຕົວກອງສູງ

 

 

 

0.44

Hz

 

ຄວາມຖີ່ຂອງການ oscillator ໃນຊິບ

FCLK

 

 

64

kHz

 


ຮູບແບບການສະແດງອອກຂອງ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor

ໃນເວລາທີ່ສັນຍານອິນຟາເລດ pyroelectric ໄດ້ຮັບໂດຍ probe ເກີນຂອບເຂດຂອງຜົນກະທົບພາຍໃນ probe, ກໍາມະຈອນນັບແມ່ນຜະລິດພາຍໃນ. ເມື່ອການກວດສອບໄດ້ຮັບສັນຍານດັ່ງກ່າວອີກຄັ້ງ, ມັນຈະຄິດວ່າມັນໄດ້ຮັບ ກຳ ມະຈອນຄັ້ງທີສອງແລ້ວ. ເມື່ອມັນໄດ້ຮັບ 2 ກຳ ມະຈອນພາຍໃນ 4 ວິນາທີ, ການວິເຄາະຈະສ້າງສັນຍານເຕືອນແລະເຂັມ REL ຈະມີລະດັບລະດັບສູງ. .
ນອກຈາກນັ້ນ, ຕາບໃດທີ່ຄວາມຖີ່ຂອງສັນຍານທີ່ໄດ້ຮັບເກີນກວ່າ 5 ເທົ່າຂອງລະດັບຄວາມກະທົບກະເທືອນ, ມີ ກຳ ມະຈອນພຽງແຕ່ ໜຶ່ງ ເທົ່ານັ້ນທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ຜົນຜະລິດຂອງຕົວເລກ REL.The ຕໍ່ໄປນີ້ເປັນຕົວຢ່າງຂອງແຜນວາດຜົນກະທົບຕໍ່. ໃນກໍລະນີຂອງຫລາຍໆໄລຍະ, ເວລາ ບຳ ລຸງຮັກສາຂອງຜົນຜະລິດ REL ເລີ່ມຕົ້ນຈາກ ກຳ ມະຈອນທີ່ຖືກຕ້ອງສຸດທ້າຍ.



ການ ກຳ ນົດເວລາຂອງ PIN ONTIME
ເມື່ອການກວດຄົ້ນພົບສັນຍານການເຄື່ອນໄຫວຂອງຮ່າງກາຍຂອງມະນຸດ, ມັນຈະສົ່ງຜົນໃຫ້ລະດັບສູງຂອງເຂັມ REL. ໄລຍະເວລາຂອງລະດັບນີ້ແມ່ນ ກຳ ນົດໂດຍລະດັບທີ່ ນຳ ໃຊ້ກັບເຂັມໂມງ ONTIME (ເບິ່ງຕາຕະລາງຂ້າງລຸ່ມ). ຖ້າອຸປະກອນທີ່ມີລະດັບສູງ REL ມີຫລາຍໆສັນຍານຜົນກະທົບທີ່ສ້າງຂື້ນ, ຕາບໃດທີ່ສັນຍານຜົນກະທົບ ໃໝ່ ຈະຖືກກວດພົບ, ເວລາ REL ຈະຖືກຕັ້ງຄ່າ ໃໝ່, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນການ ກຳ ນົດເວລາກໍ່ຈະເລີ່ມຄືນ ໃໝ່.

1. ກະແສການເຮັດວຽກແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບຄວາມຕ້ານທານທີ່ຖືກຄັດເລືອກ R. ຄວາມຕ້ານທານທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ, ກະແສທີ່ເຮັດວຽກ ໜ້ອຍ ລົງ. ກະແສໄຟຟ້າສະເລ່ຍທີ່ບໍລິໂພກໂດຍ R ໃນໄລຍະເວລາຊັກຊ້າທີ່ມີປະສິດທິຜົນຂອງ REL ແມ່ນ: IR ‰ ˆ 75 0.75VDD / R. ໃນໄລຍະເວລາຊັກຊ້າທີ່ບໍ່ມີປະສິດຕິຜົນ, R ບໍ່ມີກະແສໄຟຟ້າ. ຖ້າທ່ານມີຄວາມຕ້ອງການການຊົມໃຊ້ພະລັງງານສູງແລະມັກຈະຢູ່ໃນໄລຍະເວລາຊັກຊ້າທີ່ມີປະສິດຕິຜົນ, ແນະ ນຳ ໃຫ້ໃຊ້ຮູບແບບການ ກຳ ນົດເວລາຂອງ Digital REL.


2. If the digital REL timing mode is adopted, the ONTIME pin is connected to a fixed potential whose maximum value is less than VDD / 2 (in actual use, the resistor divider can be used to adjust the REL timing). The ONTIME input voltage sets the REL output holding time through the only trigger. Refer to the table below for the output delay timing (Time Td) and voltage settings. ຫມາຍ​ເຫດ​: When using the digital REL timing method, the ONTIME pin voltage must not be higher than VDD / 2, and the timing time can only be selected from one of the 16 times in the table below. If the time in the table below is not suitable, it is recommended to use the analog REL timing method.


ເກຍເວລາ

Setting time (s) (ປະເພດical value)

ຊ່ວງເວລາຂອງແຮງດັນ PIN pin

 ປະເພດ

ຄຸນຄ່າທີ່ແນະ ນຳ ຂອງຕົວແຍກຕົວຕ້ານທານ (ຄວາມຖືກຕ້ອງ± 1%)

 

 

 

 

ເຄື່ອງຕ້ານ RH

ຄວາມຕ້ານທານທີ່ດຶງລົງ RL

1

2

0 ~ 1 / 32VDD

1 / 64VDD

ບໍ່ໄດ້ລົງ / 1 ມ

0R

2

5

1 / 32VDD ~ 2 / 32VDD

3 / 64VDD

1 ມ

51K

3

10

2 / 32VDD ~ 3 / 32VDD

5 / 64VDD

1 ມ

82K

4

15

3 / 32VDD ~ 4 / 32VDD

7 / 64VDD

1 ມ

124K

5

20

4 / 32VDD ~ 5 / 32VDD

9 / 64VDD

1 ມ

165K

6

30

5 / 32VDD ~ 6 / 32VDD

11 / 64VDD

1 ມ

210K

7

45

6 / 32VDD ~ 7 / 32VDD

13 / 64VDD

1 ມ

255K

8

60

7 / 32VDD ~ 8 / 32VDD

15 / 64VDD

1 ມ

309K

9

90

8 / 32VDD ~ 9 / 32VDD

17 / 64VDD

1 ມ

360K

10

120

9 / 32VDD ~ 10 / 32VDD

19 / 64VDD

1 ມ

422K

11

180

10 / 32VDD ~ 11 / 32VDD

21 / 64VDD

1 ມ

487K

12

300

11 / 32VDD ~ 12 / 32VDD

23 / 64VDD

1 ມ

560K

13

600

12 / 32VDD ~ 13 / 32VDD

25 / 64VDD

1 ມ

634K

14

900

13 / 32VDD ~ 14 / 32VDD

27 / 64VDD

1 ມ

732K

15

1800

14 / 32VDD ~ 16 / 32VDD

29 / 64VDD

1 ມ

825K

16

3600

15 / 32VDD ~ 16 / 32VDD

31 / 64VDD

1 ມ

953K


ການຕັ້ງຄ່າທີ່ລະອຽດອ່ອນ

ບໍ່.

ແຮງດັນເຂັນ SENS

 ບໍ່.

ແຮງດັນເຂັນ SENS

 

ແຮງດັນໄຟຟ້າ range (VDD)

ແຮງດັນກາງ (VDD)

 

ແຮງດັນໄຟຟ້າ range (VDD)

ແຮງດັນກາງ (VDD)

0

0 ~ 1/64

1/128

16

16/64 ~ 17/64

/12/12/888

1

1/64 ~ 2/64

ວັນທີ 3/128

17

17/64 ~ 18/64

ວັນທີ 35/128

2

2/64 ~ 3/64

5/128

18

18/64 ~ 19/64

37/128

3

3/64 ~ 4/64

7/128

19

19/64 ~ 20/64

ວັນທີ 3ວັນທີ 9/128

4

4/64 ~ 5/64

ວັນທີ 9/128

20

20/64 ~ 21/64

41/128

5

5/64 ~ 6/64

ວັນທີ 11/128

21

21/64 ~ 22/64

4ວັນທີ 3/128

6

6/64 ~ 7/64

1ວັນທີ 3/128

22

22/64 ~ 23/64

/128//1288

7

7/64 ~ 8/64

ວັນທີ 15/128

23

23/64 ~ 24/64

47/128

8

8/64 ~ 9/64

ວັນທີ 17/128

24

24/64 ~ 25/64

4ວັນທີ 9/128

9

9/64 ~ 10/64

1ວັນທີ 9/128

25

25/64 ~ 26/64

51/128

10

10/64 ~ 11/64

ວັນທີ 21/128

26

ວັນທີ 26/64 ~ 27/64

5ວັນທີ 3/128

11

11/64 ~ 12/64

2ວັນທີ 3/128

27

ວັນທີ 27/64 ~ 28/64

55/128

12

12/64 ~ 13/64

25/128

28

28/64 ~ 29/64

57/128

13

13/64 ~ 14/64

ວັນທີ 27/128

29

ວັນທີ 29/64 ~ 30/64

5ວັນທີ 9/128

14

14/64 ~ 15/64

2ວັນທີ 9/128

30

30/64 ~ 31/64

61/128

15

15/64 ~ 16/64

ວັນທີ 31/128

31

31/64 ~ 32/64

6ວັນທີ 3/128


The voltage input by SENS sets the sensitivity threshold, which is used to detect the strength of the PIR signal input by PIRIN and NPIRIN. When grounded, it is the minimum voltage threshold, and the sensitivity is the highest at this time. Any voltage exceeding VDD / 2 will select the maximum threshold. This threshold is the lowest sensitive setting for PIR signal detection, that is, the sensing distance may be the smallest. It should be pointed out that the sensing distance of the infrared sensor is not linearly related to the SENS input voltage. Its distance is related to the signal-to-noise ratio of the sensor itself, the imaging object distance of the Fresnel lens, the background temperature of the moving human body, the ambient temperature, the ambient humidity, and electromagnetic interference. And other factors form a complex and multiple relationship, that is, the output result cannot be judged by a single index, and the debugging result shall prevail in actual use. The lower the voltage of the SENS pin, the higher the sensitivity, and the longer the sensing distance. There are a total of 32 sensing distances to choose from, and the closest sensing distance can reach centimeter level. In actual use, the resistance divider can be used to adjust the sensitivity.


ການຕັ້ງຄ່າ PIN OEN

OEN ແມ່ນຕົວຊ່ວຍໃນການເຮັດວຽກຂອງ REL. ໃນເວລາທີ່ OEN ປະກອບແຮງດັນຕ່ໍາ, ຜົນຜະລິດ REL ແມ່ນສະເຫມີໄປຕ່ໍາ; ເມື່ອ OEN ປະກອບແຮງດັນສູງ, ເມື່ອ PIN ​​PININ / NPIRIN ຮູ້ສຶກສັນຍານຂອງຮ່າງກາຍຂອງມະນຸດປົກກະຕິຜ່ານສັນຍານ, REL ສົ່ງຜົນໃຫ້ລະດັບສູງຈົນກວ່າຈະບໍ່ມີສັນຍານຂອງຮ່າງກາຍຂອງມະນຸດ, ແລະມັນຈະຜ່ານ REL ຫຼັງຈາກເວລາ ກຳ ນົດ, REL ອອກຜົນຕ່ ຳ ລະດັບ. ຫຼັງຈາກທີ່ໃຊ້ເວລາປ້ອງກັນປະມານ 2 ວິນາທີ, ສັນຍານຮ່າງກາຍຂອງມະນຸດສາມາດຮູ້ສຶກໄດ້ອີກຄັ້ງ. ເຂັມ OEN ສາມາດເຊື່ອມຕໍ່ກັບ photoresistor ຫຼື photodiode ເພື່ອຮັບຮູ້ເຖິງ ໜ້າ ທີ່ຂອງການບໍ່ເຮັດວຽກໃນຕອນກາງເວັນແລະເຮັດວຽກກາງຄືນ.

ປະເພດical application circuit
ຕົວຢ່າງການ ນຳ ໃຊ້ Triode



Reflow soldering ຂອງ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor
ຄຳ ແນະ ນຳ solder reflow
ໃນເວລາທີ່ການຫລໍ່ຫລອມໂລຫະ, ກະລຸນາເຮັດຕາມເສັ້ນໂຄ້ງອຸນຫະພູມທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມ ສິ່ງໃດທີ່ເກີນອຸນຫະພູມສະທ້ອນແສງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້ຕ້ອງປຶກສາກັບວິສະວະກອນການຂາຍລ່ວງ ໜ້າ.


ການຫຸ້ມຫໍ່


ຫມາຍ​ເຫດ​: The standard package is 1000 pieces, and the package quantity and size vary slightly according to different models.

ຫມາຍ​ເຫດ​ for welding
ບໍ່ໃຫ້ເກີນອຸນຫະພູມສູງສຸດຂອງເສັ້ນໂຄ້ງອຸນຫະພູມທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບຂ້າງເທິງ, ຖ້າບໍ່ດັ່ງນັ້ນມັນອາດຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການເສື່ອມໂຊມຂອງການເຮັດວຽກຂອງເຊັນເຊີ.
ຢ່າເຮັດຊ້ ຳ ແລະການເຮັດຄວາມຮ້ອນແລະການຖີ້ມຊ້ ຳ ຊ້ ຳ ອີກ, ເຊິ່ງຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຊີວິດແລະການ ດຳ ເນີນງານຂອງເຊັນເຊີແລະບໍ່ໄດ້ຮັບການຄຸ້ມຄອງຈາກການຮັບປະກັນສິນຄ້າ.
ຢ່າໃຊ້ສານເຄມີທີ່ເສື່ອມໂຊມເພື່ອ ທຳ ຄວາມສະອາດຕົວກອງແສງສະຫວ່າງ (ທາດເອທານອນທີ່ສາມາດ ນຳ ໃຊ້ໄດ້) ເຊິ່ງອາດຈະເຮັດໃຫ້ເຊັນເຊີຂາດຜິດປົກກະຕິຫລືລົ້ມເຫລວ. ຢ່າໃຊ້ມັນທັນທີຫຼັງຈາກທີ່ເຊັນເຊີໄດ້ຖືກຕິດຕັ້ງ, ມັນແມ່ນແນະນໍາໃຫ້ໃຊ້ມັນຫຼັງຈາກ 1H.
Be careful not to touch the terminals with metal pieces or hands. ຫມາຍ​ເຫດ​ for welding:

ລະດັບອຸນຫະພູມສະພາບແວດລ້ອມຂອງການເຮັດວຽກ (ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ)
> Temperature: Working temperature: -30℃~+70℃ (no fog or icing, temperature change may cause sensitivity and distance change) ອຸນຫະພູມການເກັບຮັກສາ: -40℃~ +80℃
>ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ: ຄວາມຊື້ນໃນການເຮັດວຽກ: â‰% 85% RH (ບໍ່ຄວນຈະຖືກ ໝອກ ຫຼື ໜາວ)
ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນໃນການເກັບຮັກສາ: ≤ 60% RH
>ກ່ຽວກັບອຸນຫະພູມສະພາບແວດລ້ອມການ ນຳ ໃຊ້ແລະຂອບເຂດຂອງການປັບຕົວ, ມັນ ໝາຍ ເຖິງອຸນຫະພູມແລະຄວາມຊຸ່ມຊື່ນທີ່ສາມາດເຮັດໃຫ້ເຊັນເຊີເຮັດວຽກໄດ້ຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ, ບໍ່ແມ່ນການຮັບປະກັນການເຮັດວຽກຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງເພື່ອຄວາມທົນທານແລະຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ສິ່ງແວດລ້ອມ. ເມື່ອ ນຳ ໃຊ້ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງແລະມີຄວາມຊຸ່ມຊື່ນສູງ, ເຊັນເຊີຈະເລັ່ງການແກ່ຂອງຜູ້ສູງອາຍຸ.

ການພິຈາລະນາອື່ນໆຂອງ MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor
ope ຄວາມຜິດພາດອາດຈະເກີດຂື້ນຍ້ອນສຽງດັງໄຟຟ້າເຊັ່ນ: ໄຟຟ້າສະຖິດ, ຟ້າຜ່າ, ໂທລະສັບມືຖື, ວິທະຍຸ, ແລະແສງໄຟແຮງສູງ.
product ຜະລິດຕະພັນປາຍທາງຂອງລູກຄ້າຄວນໄດ້ຮັບການຕິດຕັ້ງໃຫ້ ແໜ້ນ ເພື່ອຫລີກລ້ຽງການຜິດປົກກະຕິທີ່ເກີດຈາກລົມແລະສັ່ນ.
ມັນຈະຖືກ ທຳ ລາຍຫຼັງຈາກການສັ່ນສະເທືອນຫລືຜົນກະທົບທີ່ແຂງແຮງແລະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຜິດປົກກະຕິ. ກະລຸນາຫລີກລ້ຽງການສັ່ນສະເທືອນຫລືຄວາມແຮງທີ່ມີຄວາມແຮງສູງ.
product ຜະລິດຕະພັນນີ້ບໍ່ແມ່ນຜະລິດຕະພັນປ້ອງກັນນ້ ຳ ແລະຝຸ່ນ. ມັນຄວນຈະເປັນນ້ ຳ, ກັນຝຸ່ນ, ຕ້ານການປensອງແລະຕ້ານການຕິດເຊື້ອເມື່ອໃຊ້.
>ຖ້າຫາກວ່າອາຍແກັສ corrosive volatilizes ໃນສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກ, ມັນຈະເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຜິດປົກກະຕິ.




Hot Tags: MINI Dual-Element SMD Binary Anti Jamming Digital Infrared Sensor, ຈີນ, ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະ ໜອງ, ໂຮງງານ, ຂາຍສົ່ງ, ຜະລິດຕະພັນຕາມຄວາມຕ້ອງການ

ປະເພດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ສົ່ງສອບຖາມ

ກະລຸນາຮູ້ສຶກວ່າບໍ່ເສຍຄ່າເພື່ອໃຫ້ການສອບຖາມຂອງທ່ານໃນແບບຟອມຂ້າງລຸ່ມນີ້. ພວກເຮົາຈະຕອບກັບທ່ານໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.

ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ທີ່​ກ່ຽວ​ຂ້ອງ